今年夏天，三星宣布该公司正在开发一种采用TLC版本的3D V-NAND技术的850 EVO SSD。有关该系列的更多细节，已在秋季的时候被曝光，而闪存模块的量产则从10月份开始。尽管在速度和耐久度上仍比不上2-bit的闪存颗粒(MLC)，但是借助TurboWrite缓存技术及其3D架构，3-bit颗粒(TLC)仍能克服自身的一些缺点。因此对于大部分消费者来说，搭载新颗粒的SSD仍然足够快速和耐用。

采用3-bit 3D V-NAND闪存颗粒的850 EVO将提供120GB、250GB、500GB、以及1TB的容量，顺序读取和写入分别可以达到540MB/s和520MB/s。在启用TurboWrite时，随机4K IOPS亦能够达到90K。

上述四款SSD都将提供5年的质保，其中500GB和1TB版本更是能够承受每天80GB的数据写入量。对于大多数消费者来说，5年 x 365天/年 x 80GB/天 ≈ 171TB 的写入寿命已绰绰有余。

价格方面，三星给出的建议零售价分别为120GB $100美元、250GB $150美元、500GB $270美元、1TB $500美元，不过该公司暂未公布正式开售的时间。

展望未来，三星电子亦将推出mSATA和M.2规格的850 EVO SSD。